1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低； ◆开关速度快； ◆雪崩耐量高； 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片； ◆通态压降低； ◆可靠性高； ◆成本低； 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆低饱和压降，导通损耗小； ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆关速度快，关损耗小 ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
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喜讯 | 威尼斯wns·8885556荣获国产功率器件行… 12月23日，威尼斯wns·8885556受邀参加第十四届亚洲电源技术发展论坛，与来… 2024-01-09 了解更多
省委书记信长星等领导一行莅临威尼斯wns·8885556… 12月25日，省委书记信长星一行莅临威尼斯wns8885566（以… 2023-12-27 了解更多
新品推介 | 威尼斯wns·8885556推出1700V I… 应用场景介绍级联型H桥拓扑结构简单，扩展灵活，目前已经在高压… 2023-11-23 了解更多
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